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国务院办公厅关于进一步加强控辍保学提高义务教育巩固水平的通知-公告板-时政频道-中工网

2019-09-17 22:34 来源:京华网

  国务院办公厅关于进一步加强控辍保学提高义务教育巩固水平的通知-公告板-时政频道-中工网

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内存价格居高不下 三星投3万亿韩元扩产DRAM工厂

2019-09-17 11:08:00来源:环球网

  【环球网报道 实习记者 王晨】据韩国电子新闻Etnews5月1日报道,韩国三星电子计划投资近3万亿韩元(约合人民币183亿元),扩充位于京畿道华城工厂17线DRAM产能。若投资完成,华城工厂将再没有多余空间,三星计划在17线生产增产DRAM、3D NAND闪存以及系统半导体。

  业界相关消息称,三星电子最近向设备合作企业通报拟投资扩建17线,并在3月向部分企业下单。有推测认为,投资规模约为月产35000张300mm硅晶圆,以投资金额计约为2.5-3万亿韩元。三星将在此生产10纳米DRAM,预计订货、设备生产等一系列步骤将在2017年年末或2018年年初完成,2017年下半年即可开始初步生产。

  报道称,由于华城工厂11线今后将专门用于生产CMOS和CIS等,三星为弥补产能损失,决定扩建17线。此前,11线在生产图像传感器的同时,有部分空间用来生产DRAM。

  华城工厂分为4部分,内部名称也有所不同,17线用来生产DRAM,16-2线用于生产3D NAND闪存而S3线用来生产10纳米系统大规模集成电路。

  业界相关人士称,半导体行业投资以月为单位变化,竞争激烈,本次投资是为弥补11线用途转变导致的产能不足和制程微缩损失,对DRAM供求基本没有影响。

  报道称,三星还计划在17线旁另建新厂,用来生产7纳米系统半导体。

编辑: 贾斯曼
关键词: DRAM;用途转变;Etnews;三星计划;三星电子
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